Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFZ44VPBF-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IRFZ44VPBF

Description MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
Description étendue N-Channel 60V 55A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFZ44VPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 67nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1812pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 115 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16,5 mOhms à 31A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFZ44VPBF
SP001571862

17:42:04 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,43000 1,43
10 1,27700 12,77
100 0,99560 99,56
500 0,82246 411,23
1 000 0,64930 649,30

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires