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Référence Digi-Key IRFZ34NPBF-ND
Quantité disponible 490
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFZ34NPBF

Description MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
Description étendue N-Channel 55V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 34 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 68 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 40 mOhms à 16 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFZ34NPBF
SP001568128

01:40:26 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,12000 1,12
10 1,00000 10,00
100 0,77950 77,95
500 0,64390 321,95
1 000 0,50835 508,35

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