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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU6215PBF-ND
Quantité disponible 4 698
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU6215PBF

Description MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
Description étendue P-Channel 150V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR6215PbF, IRFU6215PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 860 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 110 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 295 mOhms à 6,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU6215PBF
SP001557816

17:57:54 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,20000 1,20
10 1,07200 10,72
100 0,83530 83,53
500 0,69002 345,01
1 000 0,54476 544,76

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