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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU5410PBF-ND
Quantité disponible 2 198
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU5410PBF

Description MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR5410PbF, IRFU5410PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 205 mOhms à 7,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 58nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 760pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU5410PBF
SP001557796

20:27:24 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,88000 0,88
10 0,78700 7,87
100 0,61390 61,39
500 0,50710 253,55
1 000 0,40035 400,35

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