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Référence Digi-Key IRFU5410PBF-ND
Quantité disponible 1 684
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU5410PBF

Description MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
Description étendue P-Channel 100V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR5410PbF, IRFU5410PbF
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 58 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 760 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 66 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 205 mOhms à 7,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU5410PBF
SP001557796

16:00:24 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,93000 0,93
10 0,82800 8,28
100 0,64510 64,51
500 0,53296 266,48
1 000 0,42077 420,77

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