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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU5305PBF-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU5305PBF

Description MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR5305PbF, IRFU5305PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 65 mOhms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 63nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1200pF à 25V
Puissance max. 110W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU5305PBF
SP001550274

16:10:24 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,10000 1,10
10 0,99000 9,90
100 0,77220 77,22
500 0,63792 318,96
1 000 0,50362 503,62

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