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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU5305PBF-ND
Quantité disponible 13 103
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU5305PBF

Description MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
Description étendue P-Channel 55V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR5305PbF, IRFU5305PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 110 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 65 mOhms à 16A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU5305PBF
SP001550274

22:04:38 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,12000 1,12
10 1,00800 10,08
100 0,78590 78,59
500 0,64920 324,60
1 000 0,51253 512,53

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