Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU4615PBF-ND
Quantité disponible 3 923
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU4615PBF

Description MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 13 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR/IRFU4615
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 42 mOhms à 21A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 100µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 26nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1750pF à 50V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms SP001571872

11:32:55 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,48000 1,48
10 1,32100 13,21
100 1,03030 103,03
500 0,85114 425,57
1 000 0,67196 671,96

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires