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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU3410PBF-ND
Quantité disponible 1 853
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU3410PBF

Description MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
Description étendue N-Channel 100V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR/IRFU3410PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFR3410PBF Saber Model
IRFR3410PBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Assemblage/origine PCN IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1690 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3 W (Ta), 110 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 39 mOhms à 18 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU3410PBF
SP001578398

21:58:04 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,19000 1,19
10 1,05800 10,58
100 0,82460 82,46
500 0,68116 340,58
1 000 0,53775 537,75

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