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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU2405PBF-ND
Quantité disponible 13 940
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU2405PBF

Description MOSFET N-CH 55V 56A I-PAK
Description étendue N-Channel 55V 56A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR2405PbF, IRFU2405PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Assemblage/origine PCN IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2430pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16 mOhms à 34A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU2405PBF
64-4137PBF
64-4137PBF-ND
SP001571782

05:01:27 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,25000 1,25
10 1,11200 11,12
100 0,86760 86,76
500 0,71668 358,34
1 000 0,56580 565,80

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