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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFSL4010PBF-ND
Quantité disponible 4 736
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFSL4010PBF

Description MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFS(L)4010PBF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Conception/spécification PCN Copper Plating Update 31/Aug/2015
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,7 mOhms à 106A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 215nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 9575pF à 50V
Puissance max. 375W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-262-3, broches longues, I²Pak, TO-262AA
Boîtier fournisseur TO-262
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001567760

00:41:41 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,25000 4,25
10 3,81600 38,16
100 3,12640 312,64
500 2,66142 1 330,71
1 000 2,24458 2 244,58

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