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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFR13N15DPBF-ND
Quantité disponible 2 865
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFR13N15DPBF

Description MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Description étendue N-Channel 150V 14A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IRF(R,U)13N15DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Pas pour les nouvelles conceptions
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 620pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 86 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 8,3A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D-Pak
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches+languette), SC-63
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms SP001556864

22:03:19 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,15000 1,15
10 1,03400 10,34
100 0,80580 80,58
500 0,66562 332,81
1 000 0,52549 525,49

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IRFR13N15DTRPBF-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 6 000  Non stocké ?
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,44934
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