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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFPS3810PBF-ND
Quantité disponible 4 071
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFPS3810PBF

Description MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Description étendue N-Channel 100V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFPS3810PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFPS3810 Saber Model
IRFPS3810 Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Pkg Outline Chg 04/Jan/2016
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 170 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 390nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6790pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 580 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 9 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur SUPER-247 (TO-274AA)
Boîtier TO-274AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFPS3810PBF
SP001566934

07:10:58 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,30000 8,30
10 7,49900 74,99
100 6,20850 620,85
500 5,40626 2 703,13
1 000 4,70868 4 708,68

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