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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFPS3810PBF-ND
Quantité disponible 4 121
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFPS3810PBF

Description MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFPS3810PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFPS3810 Saber Model
IRFPS3810 Spice Model
Conception/spécification PCN Pkg Outline Chg 04/Jan/2016
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 170A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 9 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 390nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6790pF à 25V
Puissance max. 580W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-274AA
Boîtier fournisseur SUPER-247 (TO-274AA)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFPS3810PBF
SP001566934

14:09:39 12/2/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,16000 8,16
10 7,36800 73,68
100 6,10040 610,04
500 5,31220 2 656,10
1 000 4,62675 4 626,75

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