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Référence Digi-Key IRFP7530PBF-ND
Quantité disponible 443
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP7530PBF

Description MOSFET N CH 60V 195A TO247
Description étendue N-Channel 60V 195A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP7530PbF
Produit représenté 60 V StrongIRFET Power MOSFETs
Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 411 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13703 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 341 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001560520

00:36:21 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,59000 3,59
10 3,22200 32,22
100 2,63980 263,98
500 2,24718 1 123,59
1 000 1,89521 1 895,21

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