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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP4768PBF-ND
Quantité disponible 4 305
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP4768PBF

Description MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP4768PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFP4768PBF Saber Model
IRFP4768PBF Spice Model
Conception/spécification PCN Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 93A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 17,5 mOhms à 56A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 270nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 10880pF à 50V
Puissance max. 520W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247AC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001571028

03:36:51 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,04000 8,04
10 7,25900 72,59
100 6,00980 600,98
500 5,23326 2 616,63
1 000 4,55800 4 558,00

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