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Référence Digi-Key IRFP4710PBF-ND
Quantité disponible 403
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP4710PBF

Description MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
Description étendue N-Channel 100V 72A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP4710PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 72 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 170nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6160pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 14 mOhms à 45A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFP4710PBF
SP001575990

03:23:11 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,95000 2,95
10 2,64500 26,45
100 2,16730 216,73
500 1,84500 922,50
1 000 1,55603 1 556,03

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