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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP4668PBF-ND
Quantité disponible 5 252
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP4668PBF

Description MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP4668PBF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFP4668PBF Saber Model
IRFP4668PBF Spice Model
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 130A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 9,7 mOhms à 81A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 241nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 10720pF à 50V
Puissance max. 520W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247AC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms AUXSNFP4668
AUXSNFP4668-ND
SP001572854

14:06:49 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,48000 6,48
10 5,85600 58,56
100 4,84810 484,81
500 4,22170 2 110,85
1 000 3,67696 3 676,96

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