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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP4332PBF-ND
Quantité disponible 244
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP4332PBF

Description MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP4332PBF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFP4332PBF Saber Model
IRFP4332PBF Spice Model
Conception/spécification PCN Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 33 mOhms à 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 150nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 5860pF à 25V
Puissance max. 360W
Température d’utilisation -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247AC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001556764

16:21:29 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,57000 3,57
10 3,20700 32,07
100 2,62800 262,80
500 2,23716 1 118,58
1 000 1,88677 1 886,77

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