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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP4229PBF-ND
Quantité disponible 115
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP4229PBF

Description MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
Description étendue N-Channel 250V 44A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP4229PBF
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 44 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4560 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 310 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 46 mOhms à 26 A, 10 V
Température d’utilisation -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001578046

08:55:17 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,76000 3,76
10 3,37400 33,74
100 2,76390 276,39
500 2,35292 1 176,46
1 000 1,98438 1 984,38

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