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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP4227PBF-ND
Quantité disponible 313
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP4227PBF

Description MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
Description étendue N-Channel 200V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP4227PBF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 98 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4600 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 330 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 25 mOhms à 46 A, 10 V
Température d’utilisation -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001560510

10:00:30 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,54000 3,54
10 3,17700 31,77
100 2,60330 260,33
500 2,21618 1 108,09
1 000 1,86907 1 869,07

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