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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP4137PBF-ND
Quantité disponible 323
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP4137PBF

Description MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
Description étendue N-Channel 300V 38A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP4137PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté 300 V Power MOSFETs
Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 125 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5168 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 341 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 69 mOhms à 24 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001571068

10:00:15 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,73000 4,73
10 4,25100 42,51
100 3,48270 348,27
500 2,96472 1 482,36
1 000 2,50037 2 500,37

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