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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP3703PBF-ND
Quantité disponible 4 263
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP3703PBF

Description MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
Description étendue N-Channel 30V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP3703PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Ressources de conception IRFP3703 Saber Model
IRFP3703 Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013
Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 210 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 209 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8250 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,8 W (Ta), 230 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,8 mOhms à 76 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFP3703PBF
SP001556744

00:11:36 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,45000 3,45
10 3,10000 31,00
100 2,53970 253,97
500 2,16194 1 080,97
1 000 1,82332 1 823,32

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