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Référence Digi-Key IRFP3415PBF-ND
Quantité disponible 6 216
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP3415PBF

Description MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
Description étendue N-Channel 150V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP3415PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013
Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 43A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 200nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2400pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 42 mOhms à 22A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFP3415PBF
SP001566972

16:44:02 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,58000 2,58
10 2,31700 23,17
100 1,86240 186,24
500 1,53018 765,09
1 000 1,26785 1 267,85

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