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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP3206PBF-ND
Quantité disponible 11 427
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP3206PBF

Description MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
Description étendue N-Channel 60V 120A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP3206PBF
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Qualification Wafer Source 01/Apr/2014
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 150 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 170 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6540 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 280 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 mOhms à 75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001578056

10:44:02 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,71000 2,71
10 2,43500 24,35
100 1,99470 199,47
500 1,69804 849,02
1 000 1,43209 1 432,09

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