Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP3206PBF-ND
Quantité disponible 1 506
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP3206PBF

Description MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
Description étendue N-Channel 60V 120A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP3206PBF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Qualification Wafer Source 01/Apr/2014
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 150µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 170nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6540pF à 50V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 280W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 mOhms à 75A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001578056

03:38:09 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,62000 2,62
10 2,35700 23,57
100 1,93150 193,15
500 1,64426 822,13
1 000 1,38672 1 386,72

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires