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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP3206PBF-ND
Quantité disponible 9 752
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP3206PBF

Description MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP3206PBF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Qualification Wafer Source 01/Apr/2014
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 mOhms à 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 150µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 170nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6540pF à 50V
Puissance max. 280W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247AC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001578056

12:47:38 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,57000 2,57
10 2,31600 23,16
100 1,89790 189,79
500 1,61564 807,82
1 000 1,36259 1 362,59

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