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Référence Digi-Key IRFP2907PBF-ND
Quantité disponible 1 180
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP2907PBF

Description MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 209A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 mOhms à 125A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 620nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 13000pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247AC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFP2907PBF
SP001571058

16:21:22 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,06000 5,06
10 4,55000 45,50
100 3,72780 372,78
500 3,17336 1 586,68
1 000 2,67633 2 676,33

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