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Référence Digi-Key IRFP2907PBF-ND
Quantité disponible 1 492
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP2907PBF

Description MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Description étendue N-Channel 75V 209A (Tc) 470W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 209 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 620 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 470 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 mOhms à 125 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFP2907PBF
SP001571058

23:12:30 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,32000 5,32
10 4,78100 47,81
100 3,91790 391,79
500 3,33520 1 667,60
1 000 2,81283 2 812,83

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