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Référence Digi-Key IRFP250NPBF-ND
Quantité disponible 1 467
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP250NPBF

Description MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
Description étendue N-Channel 200V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 123nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2159pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 214 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 75 mOhms à 18A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFP250NPBF
SP001554946

01:33:15 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,00000 2,00
10 1,79300 17,93
100 1,44130 144,13
500 1,18416 592,08
1 000 0,98116 981,16

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