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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFP250MPBF-ND
Quantité disponible 616
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP250MPBF

Description MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
Description étendue N-Channel 200V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP250MPBF
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 123 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2159 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 214 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 75 mOhms à 18 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001566168

05:26:16 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,82000 1,82
10 1,63400 16,34
100 1,31320 131,32
500 1,07892 539,46
1 000 0,89397 893,97

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