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Référence Digi-Key IRFP250MPBF-ND
Quantité disponible 1 014
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP250MPBF

Description MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
Description étendue N-Channel 200V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP250MPBF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 123nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2159pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 214 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 75 mOhms à 18A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms SP001566168

05:43:02 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,76000 1,76
10 1,58200 15,82
100 1,27160 127,16
500 1,04474 522,37
1 000 0,86564 865,64

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