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Référence Digi-Key IRFP064NPBF-ND
Quantité disponible 1 288
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP064NPBF

Description MOSFET N-CH 55V 110A TO-247AC
Description étendue N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 170 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8 mOhms à 59 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFP064NPBF
SP001554926

01:51:07 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,28000 2,28
10 2,04400 20,44
100 1,64260 164,26
500 1,34952 674,76
1 000 1,11817 1 118,17

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