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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFIZ24NPBF-ND
Quantité disponible 2 164
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFIZ24NPBF

Description MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
Description étendue N-Channel 55V 14A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFIZ24NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 23/Apr/2014
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 370 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 29 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 70 mOhms à 7,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220AB
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFIZ24NPBF
SP001556656

05:10:48 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,05000 1,05
10 0,93400 9,34
100 0,72790 72,79
500 0,60134 300,67
1 000 0,47474 474,74

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