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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFI530NPBF-ND
Quantité disponible 3 037
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFI530NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF1530NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFI530N Saber Model
IRFI530N Spice Model
Conception/spécification PCN Alternate Mold Compound 02/Jul/2014
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 23/Apr/2014
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 110 mOhms à 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 44nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 640pF à 25V
Puissance max. 41W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFI530NPBF
SP001554868

05:44:54 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,94000 0,94
10 0,84600 8,46
100 0,65940 65,94
500 0,54474 272,37
1 000 0,43005 430,05

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