Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFBA90N20DPBF-ND
Quantité disponible 428
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFBA90N20DPBF

Description MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFBA90N20DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFBA90N20DPBF Saber Model
IRFBA90N20DPBF Spice Model
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 98A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 23 mOhms à 59A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 240nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6080pF à 25V
Puissance max. 650W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier Super-220™-3 (broches droites)
Boîtier fournisseur SUPER-220™ (TO-273AA)
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFBA90N20DPBF
SP001551776

14:01:43 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,41000 7,41
10 6,69300 66,93
100 5,54150 554,15
500 4,82542 2 412,71
1 000 4,20278 4 202,78

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires