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Référence Digi-Key IRFBA90N20DPBF-ND
Quantité disponible 978
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFBA90N20DPBF

Description MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Description étendue N-Channel 200V 98A (Tc) 650W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFBA90N20DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFBA90N20DPBF Saber Model
IRFBA90N20DPBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 98A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 240nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6080pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 650W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 23 mOhms à 59A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur SUPER-220™ (TO-273AA)
Boîtier Super-220™-3 (broches droites)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFBA90N20DPBF
SP001551776

12:57:57 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,54000 7,54
10 6,81200 68,12
100 5,63960 563,96
500 4,91088 2 455,44
1 000 4,27720 4 277,20

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