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Référence Digi-Key IRFBA1405PPBF-ND
Quantité disponible 136
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFBA1405PPBF

Description MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
Description étendue N-Channel 55V 174A (Tc) 330W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 25 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFBA1405PPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFBA1405P Saber Model
IRFBA1405P Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 174 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 260 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5480 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 330 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5 mOhms à 101 A, 10 V
Température d’utilisation -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur SUPER-220™ (TO-273AA)
Boîtier Super-220™-3 (broches droites)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFBA1405PPBF
SP001570808

17:34:45 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,93000 2,93
10 2,63100 26,31
100 2,15550 215,55
500 1,83494 917,47
1 000 1,54754 1 547,54

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