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Référence Digi-Key IRFB7730PBF-ND
Quantité disponible 587
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB7730PBF

Description MOSFET N-CH 75V 195A TO220
Description étendue N-Channel 75V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 407 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13660 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,6 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001556128

04:00:30 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,08000 3,08
10 2,76700 27,67
100 2,26720 226,72
500 1,93004 965,02
1 000 1,62775 1 627,75

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