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Référence Digi-Key IRFB7730PBF-ND
Quantité disponible 1 745
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB7730PBF

Description MOSFET N-CH 75V 195A TO220
Description étendue N-Channel 75V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 407nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13660pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,6 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001556128

05:28:17 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,98000 2,98
10 2,68000 26,80
100 2,19540 219,54
500 1,86890 934,45
1 000 1,57618 1 576,18

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