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Référence Digi-Key IRFB7540PBF-ND
Quantité disponible 2 942
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB7540PBF

Description MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
Description étendue N-Channel 60V 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7 V à 100 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4555 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 160 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,1 mOhms à 65 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001563988

05:56:36 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,23000 1,23
10 1,10000 11,00
100 0,85720 85,72
500 0,70812 354,06
1 000 0,55904 559,04

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