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Référence Digi-Key IRFB7530PBF-ND
Quantité disponible 1 046
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB7530PBF

Description MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
Description étendue N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 411nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 13703pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001575524

22:05:41 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,21000 3,21
10 2,88000 28,80
100 2,36010 236,01
500 2,00912 1 004,56
1 000 1,69443 1 694,43

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