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Référence Digi-Key IRFB7530PBF-ND
Quantité disponible 818
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB7530PBF

Description MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
Description étendue N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 411 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13703 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001575524

16:41:43 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,31000 3,31
10 2,97500 29,75
100 2,43730 243,73
500 2,07484 1 037,42
1 000 1,74986 1 749,86

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