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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB7530PBF-ND
Quantité disponible 1 056
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB7530PBF

Description MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF(B,S,SL)7530PbF
Produit représenté 60 V StrongIRFET Power MOSFETs
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 411nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 13703pF à 25V
Puissance max. 375W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001575524

20:50:03 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,15000 3,15
10 2,83000 28,30
100 2,31910 231,91
500 1,97416 987,08
1 000 1,66495 1 664,95

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