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Référence Digi-Key IRFB7430PBF-ND
Quantité disponible 97
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Fabricant

Référence fabricant

IRFB7430PBF

Description MOSFET N CH 40V 195A TO220
Description étendue N-Channel 40V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 460nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 14240pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,3 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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  • Prix unitaire 1,79000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001551786

15:32:07 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,70000 3,70
10 3,33100 33,31
100 2,72880 272,88
500 2,32298 1 161,49
1 000 1,95914 1 959,14

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