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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB52N15DPBF-ND
Quantité disponible 267
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB52N15DPBF

Description MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Assemblage/origine PCN TO-220 FET Alternate Site 22/Aug/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 51A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 32 mOhms à 36A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 89nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2770pF à 25V
Puissance max. 3,8W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB52N15DPBF
SP001572332

12:51:21 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,90000 2,90
10 2,61200 26,12
100 2,14060 214,06
500 1,82230 911,15
1 000 1,53688 1 536,88

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