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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB52N15DPBF-ND
Quantité disponible 242
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB52N15DPBF

Description MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
Description étendue N-Channel 150V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN TO-220 FET Alternate Site 22/Aug/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 51 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 89nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2770pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,8 W (Ta), 230 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 32 mOhms à 36A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB52N15DPBF
SP001572332

17:18:19 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,96000 2,96
10 2,65900 26,59
100 2,17860 217,86
500 1,85456 927,28
1 000 1,56409 1 564,09

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