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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB4710PBF-ND
Quantité disponible 78
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4710PBF

Description MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB4710PBF Saber Model
IRFB4710PBF Spice Model
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 14 mOhms à 45A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 170nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6160pF à 25V
Puissance max. 3,8W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB4710PBF
SP001556118

10:29:19 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,43000 2,43
10 2,18400 21,84
100 1,75570 175,57
500 1,44248 721,24
1 000 1,19519 1 195,19

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