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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB4615PBF-ND
Quantité disponible 5 599
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4615PBF

Description MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB4615PBF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB4615PBF Saber Model
IRFB4615PBF Spice Model
Produit représenté 150V and 200V HEXFET® Power MOSFETs
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 39 mOhms à 21A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 100µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 26nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1750pF à 50V
Puissance max. 144W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001565882

09:40:45 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,81000 1,81
10 1,62500 16,25
100 1,30570 130,57
500 1,07278 536,39
1 000 0,88887 888,87

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