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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB4332PBF-ND
Quantité disponible 195
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4332PBF

Description MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB4332PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB4332PBF Saber Model
IRFB4332PBF Spice Model
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 33 mOhms à 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 150nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 5860pF à 25V
Puissance max. 390W
Température d’utilisation -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001556040

00:15:10 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,16000 3,16
10 2,84000 28,40
100 2,32640 232,64
500 1,98042 990,21
1 000 1,67023 1 670,23

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