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Référence Digi-Key IRFB4321PBF-ND
Quantité disponible 753
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4321PBF

Description MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
Description étendue N-Channel 150V 85A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB4321PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB4321PBF Saber Model
IRFB4321PBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 85 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4460pF à 50V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 350 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 15 mOhms à 33A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001577790

01:51:12 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,92000 2,92
10 2,62200 26,22
100 2,14860 214,86
500 1,82908 914,54
1 000 1,54259 1 542,59

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