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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB4321PBF-ND
Quantité disponible 858
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4321PBF

Description MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB4321PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB4321PBF Saber Model
IRFB4321PBF Spice Model
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 85A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 15 mOhms à 33A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 4460pF à 50V
Puissance max. 350W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001577790

16:46:05 12/2/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,87000 2,87
10 2,57700 25,77
100 2,11120 211,12
500 1,79724 898,62
1 000 1,51575 1 515,75

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