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Référence Digi-Key IRFB4310ZPBF-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4310ZPBF

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6 mOhms à 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 150µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 170nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6860pF à 50V
Puissance max. 250W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001570588

08:54:11 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,53000 2,53
10 2,27200 22,72
100 1,86110 186,11
500 1,58434 792,17
1 000 1,33618 1 336,18

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