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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB4310PBF-ND
Quantité disponible 1 007
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4310PBF

Description MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB4310PbF, IRFS(L)4310PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB4310PBF Saber Model
IRFB4310PBF Spice Model
Assemblage/origine PCN Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 130A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7 mOhms à 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 250nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 7670pF à 50V
Puissance max. 300W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB4310PBF
SP001566592

12:43:05 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,72000 3,72
10 3,34000 33,40
100 2,73650 273,65
500 2,32954 1 164,77
1 000 1,96467 1 964,67

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