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Référence Digi-Key IRFB4229PBF-ND
Quantité disponible 190
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4229PBF

Description MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Description étendue N-Channel 250V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 46 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4560 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 330 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 46 mOhms à 26 A, 10 V
Température d’utilisation -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001565910

13:30:46 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,27000 3,27
10 2,93300 29,33
100 2,40310 240,31
500 2,04570 1 022,85
1 000 1,72529 1 725,29

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