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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB4227PBF-ND
Quantité disponible 2 519
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4227PBF

Description MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB4227PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB4227PBF Saber Model
IRFB4227PBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 98 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4600 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 330 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 24 mOhms à 46 A, 10 V
Température d’utilisation -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001565892

10:02:40 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,90000 2,90
10 2,60800 26,08
100 2,13730 213,73
500 1,81944 909,72
1 000 1,53446 1 534,46

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