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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB4227PBF-ND
Quantité disponible 2 837
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4227PBF

Description MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB4227PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB4227PBF Saber Model
IRFB4227PBF Spice Model
Assemblage/origine PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 24 mOhms à 46A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 98nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 4600pF à 25V
Puissance max. 330W
Température d’utilisation -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001565892

02:15:01 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,93000 2,93
10 2,63500 26,35
100 2,15900 215,90
500 1,83796 918,98
1 000 1,55008 1 550,08

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