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Référence Digi-Key IRFB41N15DPBF-ND
Quantité disponible 2 259
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB41N15DPBF

Description MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
Description étendue N-Channel 150V 41A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF(I)B / IRFS(L)_41N15DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 41A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2520pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 45 mOhms à 25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB41N15DPBF
SP001575564

07:13:42 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,44000 2,44
10 2,18700 21,87
100 1,75820 175,82
500 1,44450 722,25
1 000 1,19687 1 196,87

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