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Référence Digi-Key IRFB4110PBF-ND
Quantité disponible 3 779
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4110PBF

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9620 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 370 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 mOhms à 75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 64-0076PBF
64-0076PBF-ND
SP001570598

10:39:03 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,42000 3,42
10 3,06600 30,66
100 2,51230 251,23
500 2,13870 1 069,35
1 000 1,80372 1 803,72

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