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Référence Digi-Key IRFB4110PBF-ND
Quantité disponible 2 851
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4110PBF

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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Categories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 210nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 9620pF à 50V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 mOhms à 75A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 64-0076PBF
64-0076PBF-ND
SP001570598

07:19:46 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,51000 3,51
10 3,15200 31,52
100 2,58280 258,28
500 2,19870 1 099,35
1 000 1,85433 1 854,33

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