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Référence Digi-Key IRFB4110PBF-ND
Quantité disponible 3 378
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB4110PBF

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9620 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 370 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 mOhms à 75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 64-0076PBF
64-0076PBF-ND
SP001570598

22:00:45 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,62000 3,62
10 3,25600 32,56
100 2,66740 266,74
500 2,27064 1 135,32
1 000 1,91500 1 915,00

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