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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB38N20DPBF-ND
Quantité disponible 200
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB38N20DPBF

Description MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF(B,S,SL)38N20DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB38N20DPBF Saber Model
IRFB38N20DPBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN TO-220 FET Alternate Site 22/Aug/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 43 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 91nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2900pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,8 W (Ta), 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 54 mOhms à 26A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB38N20DPBF
SP001556010

10:58:00 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,99000 2,99
10 2,68600 26,86
100 2,20100 220,10
500 1,87368 936,84
1 000 1,58021 1 580,21

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