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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB38N20DPBF-ND
Quantité disponible 317
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB38N20DPBF

Description MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF(B,S,SL)38N20DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFB38N20DPBF Saber Model
IRFB38N20DPBF Spice Model
Assemblage/origine PCN TO-220 FET Alternate Site 22/Aug/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 54 mOhms à 26A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 91nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2900pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB38N20DPBF
SP001556010

23:00:50 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,94000 2,94
10 2,64000 26,40
100 2,16270 216,27
500 1,84108 920,54
1 000 1,55272 1 552,72

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