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Référence Digi-Key IRFB3207ZPBF-ND
Quantité disponible 732
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB3207ZPBF

Description MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Description étendue N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 25 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 150 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 170 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6920 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,1 mOhms à 75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001575584

22:39:17 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,73000 2,73
10 2,45300 24,53
100 2,01020 201,02
500 1,71120 855,60
1 000 1,44319 1 443,19

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