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Référence Digi-Key IRFB3006PBF-ND
Quantité disponible 1 872
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB3006PBF

Description MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Description étendue N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 300nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 8970pF à 50V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,5 mOhms à 170A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001570606

08:30:07 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,50000 3,50
10 3,14500 31,45
100 2,57730 257,73
500 2,19394 1 096,97
1 000 1,85030 1 850,30

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