Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB3006PBF-ND
Quantité disponible 1 877
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB3006PBF

Description MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,5 mOhms à 170A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 300nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 8970pF à 50V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001570606

04:15:23 12/11/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,44000 3,44
10 3,09100 30,91
100 2,53240 253,24
500 2,15576 1 077,88
1 000 1,81811 1 818,11

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires