Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB3006PBF-ND
Quantité disponible 345
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB3006PBF

Description MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Description étendue N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 25 semaines
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8970 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,5 mOhms à 170 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001570606

02:08:56 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,41000 3,41
10 3,05900 30,59
100 2,50690 250,69
500 2,13404 1 067,02
1 000 1,79979 1 799,79

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires