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Référence Digi-Key IRFB260NPBF-ND
Quantité disponible 839
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB260NPBF

Description MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 56A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB260NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 220nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 4220pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 380W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 40 mOhms à 34A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB260NPBF
SP001551726

11:22:36 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,48000 3,48
10 3,13000 31,30
100 2,56410 256,41
500 2,18278 1 091,39
1 000 1,84090 1 840,90

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