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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB23N20DPBF-ND
Quantité disponible 1 196
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB23N20DPBF

Description MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB23N20DPbF, IRFS(L)23N20DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 86nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1960pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,8W (Ta), 170W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 14A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB23N20DPBF
SP001564048

07:01:09 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,70000 2,70
10 2,42200 24,22
100 1,94630 194,63
500 1,59902 799,51
1 000 1,32491 1 324,91

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