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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB23N20DPBF-ND
Quantité disponible 1 196
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB23N20DPBF

Description MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB23N20DPbF, IRFS(L)23N20DPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 14A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 86nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1960pF à 25V
Puissance max. 3,8W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFB23N20DPBF
SP001564048

20:13:17 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,65000 2,65
10 2,37900 23,79
100 1,91240 191,24
500 1,57120 785,60
1 000 1,30186 1 301,86

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